Samsung esitteli 3D V-NAND -tekniikkaan perustuvat SSD-asemat

Samsung kertoi viime viikolla aloittaneensa ensimmäisten 3D V-NAND -muistipiirien massatuotannon. Nyt yhtiö on esitellyt uuteen tekniikkaan perustuvat SSD-asemat.

Uusi tekniikka parantaa muistipiirien toimintavarmuutta perinteiseen tekniikkaan nähden. Piirien toiminta-aika lyhenee sitä mukaa mitä pienempiin valmistustekniikoihin mennään, joten Samsungin sirut tuovat helpotusta tähän ongelmaan. Tekniikka mahdollistaa muistisolujen pinoamisen päällekkäin, mikä vauhdittaa myös kirjoitusnopeutta.

Korealaisyhtiön esittelemät SSD-muistit ovat kapasiteetiltaan 960 ja 480 gigatavua. Ne on tarkoitettu yrityskäyttöön, mutta kotikoneisiin tarkoitetut mallit ovat tulossa myöhemmin.

• Samsung
• SSD
• NAND
• NAND Flash