Samsung aloitti alan ensimmäisten 3D V-NAND -muistien massatuotannon
Laitteiden pienentyessä ja kuluttajien vaatimusten kasvaessa, tarvitaan uusia tallennusratkaisuita. Samsung on ottanut askeleen tähän suuntaan, sillä se on aloittanut markkinoiden ensimmäisten 3D V-NAND -muistien valmistuksen.
Tausta-ajatus 3D-muisteissa on se, että muistisoluja pinotaan päällekäin sen sijaan että niitä sijoitettaisiin pelkästään vierekkäin. Päällekäin pinoamisella saavutetaan 2–10 kertaa parempi toimintavarmuus ja kaksinkertainen kirjoitusnopeus perinteiseen tekniikkaan verrattuna. Perinteisessä tekniikassa NAND-muistien toimintavarmuus heikkenee sitä mukaa mitä pienempiin valmistustekniikoihin siirrytään. Samsungin tekniikalla voidaan pinota päällekäin 24 solukerrosta.
Samsung ei kertonut koska muisteja nähdään käyettävän kuluttajille asti saapuvissa laitteissa. Samsungin esittelemän piirin tallennustilaksi kerrottiin 16 gigatavua.
1 KOMMENTTI
hannibal_pjv1/1
Miksi toimintavarmuus lisääntyy tässä? Onko kyse vain siitä, että varataan enemmän tilaa, joten vikaantunut osa voidaa aina vain korvata? Päällekkäin pinoaminen tekee jäähdyttämisestä aina vaikeampaa, joten hankala nähdä miksi toimintavarmuus itsessään paranisi?
TÄMÄN UUTISEN KOMMENTOINTI ON PÄÄTTYNYT