Samsung julkaisee 100 muistitason piirit SSD-asemiin

Samsung on aloittanut 256 gigatavun SSD-asemien massatuotannon, missä käytetään ensimmäistä kertaa historiassa V-NAND-muistipiirejä, joissa on peräti 100 muistitasoa pinottuna päällekkäin. Aiemman sukupolven piiriin verrattuna suorituskyky on kasvanut 10 prosentilla ja virrankulutus laskenut 15 prosentilla.

Uusissa SSD-asemissa käytetään kuudennen sukupolven 256 gigabitin V-NAND-piirejä, jotka julkaistiin vain 13 kuukautta edellisen sukupolven piirien julkaisun jälkeen. Nopean kehitystahdin ansiosta tuotekehityssykli on vauhdittunut Samsungin mukaan neljällä kuukaudella. Samsungin seuraavana tavoitteena on tuoda vastaava teknologia 512 gigabitin piirehin.

Vuonna 2013 julkaistuissa ensimmäisen sukupolven V-NAND-muistipiireissä oli 24 tasoa ja ne olivat kooltaan 128 gigabittiä. Samsungin mukaan nykyinen rakenne on skaalattavissa ainakin 300 tason muistipiireihin asti.

• SSD
• Samsung