Muistimarkkinat mullistuvat ensi vuonna
Kulutuselektroniikan eräänlaisina peruskivinä toimivat tällä hetkellä SRAM, DRAM ja NAND Flash -muistit. Jos Elpidaan, HP:n ja Hynixiin on uskomista, vuonna 2013 on tulossa uusi Resistive RAM -muisti, joka tulee ennen pitkää korvaamaan nykyiset muistityypit.
ReRAM on haihtumaton (non-volatile) muisti, joka saattaisi huomattavasti vähävirtaisempana ja nopeampana tulevaisuudessa korvata esimerkiksi Flash-muistin. ReRAM -tekniikalla voidaan toteuttaa myös perinteinen DRAM-keskusmuisti, tai siitä voidaan kasata suuren tallennuskapasiteetin kiintolevyjä. Todennäköisesti ensimmäiset ReRAM-muistit päätyvät mobiililaitteisiin ja DRAM-muistin korvikkeeksi. Valmistajat uskovat kuitenkin, että ReRAM tulee korvaamaan myös NAND Flash-muistin, jota käytetään nykyisissä SSD-levyissä.
Elpida on ilmoittanut aloittavansa ReRAMin valmistuksen vuonna 2013. Valmiina on jo 64Mb prototyyppipiirejä valmistettuna 50 nm prosessilla, mutta lopullinen massatuotanto tullaan aloittamaan 30 nm prosessilla. Prototyyppi tehtiin yhteistyössä Japanilaisen New Energy and Industrial Technology Development Organizationin (NEDO) kanssa, ja jatkokehitystä tekevät myös Sharp, Tokion yliopisto ja National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AISTI).
Elpidan lisäksi myös HP ja Hynix ovat jo aiemmin ilmoittaneet, että ReRAM-nimellä tulevien muistien tuotanto aloitettaisiin 2013. ReRAM-muistilla on kuitenkin muitakin kilpailijoita olemassa, muun muassa IBM:n kehittämä Phase Change Memory (PCM) ja Toshiban MRAM.
Elpidan 64Mb ReRAM-prototyyppi
TÄMÄN UUTISEN KOMMENTOINTI ON PÄÄTTYNYT