Micron rakensi virheenkorjauksen NAND-sirulle
Muistivalmistaja Micron on julkaissut uuden tyyppisen NAND-flashmuistin, jossa virheenkorjausmekanismi on rakennettu suoraan muistipiiriin. Virheenkorjauksella pyritään ratkaisemaan ongelmia, joita syntyy muistien kutistuessa fyysiseltä kooltaan yhä pienemmäksi.
Flashmuisteille ilmoitetaan yleensä arvo, joka kertoo montako kertaa yksittäinen solu voidaan uudelleenohjelmoida. Aiemmat 50 nm:n valmistusprosessilla tuotetut flash-muistit kestivät noin 10 000 uudelleenkirjoitusta, mutta piirien pienentyessä myös niiden uudelleenkirjoitusten kestokyky vähenee huomattavasti. Tämä lisää muistissa tapahtuvien virheiden määrää joka puolestaan luo tarpeen paremmalle virheenkorjaukselle.
Nykyisen sukupolven SandForce-ohjaimet hoitavat virheenkorjausta tehokkaasti ohjaimen tasolla, mutta Micronin ClearNAND-muisteissa virheenkorjaus tapahtuu piirissä itsessään eli muistohjaimet voidaan pitää yksinkertaisempina. ClearNAND-muisteja on tarjolla aluksi 25 nm:n valmistuteknikkalla tuotettuna, mutta tarkoituksena on viedä tekniikkaa eteenpäin uusien pienempien valmistusprosessien mukana.
Peruslaatuiset ClearNAND muistit ovat kapasiteetiltaan 8 gigatavusta 32 gigatavuun ja ne on matalan nopeutensa vuoksi tarkoitettu lähinnä kuluttajalaitteisiin integroitavaksi. ClearNAND Enhanced -piirejä on tarjolla enintään 64 gigatavun kokoisina ja ne kykenevät huomattavasti suurempiin siirtonopeuksiin, mikä tekee siitä sopivan käytettäväksi esimerkiksi SSD-levyissä.
Micron toimittaa jo uusia muisteja asiakkaille, mutta niitä tuskin nähdään valmiissa tuotteissa ennen ensi vuoden alkua.
TÄMÄN UUTISEN KOMMENTOINTI ON PÄÄTTYNYT