Toshiba kehitti ennätyssuuren 16-kerroksisen SSD-muistipiirin
Muistipiirien seuraava kehitysaskel on ylöspäin, eli 3D-piirien kehitys latomalla päälekkäin muistipiirejä, ja yhdistämällä ne TSV-tekniikalla. Toshiba on ottanut ensimmäisenä askeleen peräti 16-kerroksisten NAND-muistipiirien osalta, ja esittelee niitä Flash Memory Summit -tapahtumassa ensi viikolla.
Toshiba saavuttaa uudella TSV-tekniikalla yli 1 Gbps nopeudet muistipiirillä, ja samalla tehonkulutusta saadaan tiputettua 50%. Prototyyppivaiheessa oleva piiri mahduttaa sisälleen 256 gigatavua muistia 16-kerroksisessa muodossaan. Kooltaan muistipiiri on 14 x 18 x 1,9 mm. Tarkempia tietoja ei vielä julkistettu, mutta prototyyppipiiristä lienee vielä kohtuullisen pitkä matka kuluttajatuotteisiin.
1 KOMMENTTI
Mauriland1/1
Eikös toi ole vieläkin 2D muistipiiri päällekkäis ladonnalla. Koskahan tulisi noita oikeita 3D tallennuksella olevia piirejä joissa koodaus on siinä missä mikäkin bitti on
TÄMÄN UUTISEN KOMMENTOINTI ON PÄÄTTYNYT