IBM kehitti huippupienen transistorin hiilinanoputkien avulla

IBM:n tutkijat ovat onnistuneesti rakentaneet äärimmäisen pienen hiilinanoputkiin perustuvan transistorin, jonka toivotaan mahdollistavan transistorien kutistamisen alle 10 nanometrin tason.

Suuri osa viime vuosien laskentatehon kasvusta perustuu yhä kasvavan transistorimäärän ahtamisesta samalle sirulle. Tällä hetkellä pienintä prosessitekniikkaa käyttää Intel tulevissa Ivy Bridge -prosessoreissaan, jotka valotetaan 22 nanometrin viivanleveydellä.

Nykyisen tiedon mukaan piihin perustuvien transistoreiden fyysiset ominaisuudet estävät niiden kutistamisen 10 nanometriä pienemmäksi. Pii-pohjaisten transistoreiden lähentyessä toisiaan riittävästi, ongelmaksi muodostuu esimerkiksi vuotava sähkövirta, joka häiritsee läheisten transistoreiden toimintaa.

Intel on pyrkinyt taistelemaan vuotovirtaa vastaan esimerkiksi Ivy Bridgen myötä käyttöön otettavalla Tri-Gate-rakenteella, jossa hila ympäröi johdemateriaalia kolmesta suunnasta vähentäen virtavuotoa. Tri-Gate-tekniikan toimivuudesta 10 nanometrin luokassa ei kuitenkaan ole vielä kokemusta.

IBM:n tulokset ovat lupaavia ja tarjoavat potentiaalisen ratkaisun Mooren lain toteuttamiseksi myös tulevaisuudessa. Silti kyseessä on vasta ensimmäinen käytännön koe, jossa tekniikka on todistettu periaatteessa toimivaksi ja kaupallinen hyödyntäminen on vielä vuosien päässä.

• IBM