Samsung aloitti 30 nm-luokan LPDDR2-muistien valmistuksen

Samsung on tänään ilmoittanut, että se on ensimmäisenä maailmassa aloittanut 4 gigabitin vähävirtaisten muistimoduulien (LPDDR2) valmistuksen uudella 30 nanometrin prosessitekniikalla.

Vähävirtaisia LPDDR2-piirejä käytetään mobiilituotteissa kuten älypuhelimissa. Samsungin mukaan uusi 30 nm tekniikka mahdollistaa 60% paremman tuotantotehokkuuden verrattuna aiempaan 40 nm-luokan prosessiin.

Tuotannon helpottumisen ja yksittäisen piirin kapasiteetin kasvun lisäksi siirtyminen uuteen prosessitekniikkaan tuo myös lisää suorituskykyä ja vähentää tehonkulutusta. Uusi piiri toimii jopa 1066 Mbps nopeudella, mikä on yli kaksi kertaa nopeampi kuin yleisesti käytössä olevan MDDR:n 333-400 Mbps. Samalla tehonkulutus on 25% pienempi. Suurempien 4 gigabitin piirien lisäksi uusi prosessi mahdollistaa fyysisesti pienempien piirien valmistamisen, mikä on tärkeää ahtaissa mobiililaitteissa joissa piirilevytila on kortilla.

• Samsung