Samsung esitteli 3D V-NAND -tekniikkaan perustuvat SSD-asemat

Manu Pitkänen
14. elokuuta, 2013 11:07

Samsung kertoi viime viikolla aloittaneensa ensimmäisten 3D V-NAND -muistipiirien massatuotannon. Nyt yhtiö on esitellyt uuteen tekniikkaan perustuvat SSD-asemat.
Uusi tekniikka parantaa muistipiirien toimintavarmuutta perinteiseen tekniikkaan nähden. Piirien toiminta-aika lyhenee sitä mukaa mitä pienempiin valmistustekniikoihin mennään, joten Samsungin sirut tuovat helpotusta tähän ongelmaan. Tekniikka mahdollistaa muistisolujen pinoamisen päällekkäin, mikä vauhdittaa myös kirjoitusnopeutta.

Korealaisyhtiön esittelemät SSD-muistit ovat kapasiteetiltaan 960 ja 480 gigatavua. Ne on tarkoitettu yrityskäyttöön, mutta kotikoneisiin tarkoitetut mallit ovat tulossa myöhemmin.

Lue myös nämä
Tägit
Samsung SSD NAND NAND Flash
Käytämme evästeitä sivuillamme. Näin parannamme palveluamme.