Manu Pitkänen
17. huhtikuuta, 2019 8:31
Samsung kertoo edenneensä 5 nanometrin tuotantoprosessin kehityksessä riskituotantovaiheeseen, joka edeltää varsinaista massatuotantovaihetta. Uudessa prosessissa hyödynnetään EUV-teknologiaa (Extreme Ultra Violet), jonka tuotantokapasiteettia laajennetaan vielä tämän vuoden lopulla. Tuotantoa aiotaan laajentaa laajennuksen myötä ensi vuonna.
Uuden prosessin luvataan parantavan transistoritiheyttä 25 prosentilla 7 nanometrin prosessiin verrattuna. Korkeampaa tiheyttä piirisuunnittelijat voivat hyödyntää joko tekemällä piiristä joko pienemmän tai lisäämällä siihen uusia lisäominaisuuksia. Samsung lupaa suorituskyvyn myös kasvavan 10 prosentilla tai energiankulutuksen laskevan 20 prosentilla verrattuna 7 nanometrin tekniikkaan.
Samsungin yksi tärkeimmistä kilpailijoista puolijohdetuotannon saralla on taiwanilainen TSMC, joka ilmoitti vähän aika sitten myös 5 nanometrin prosessin valmiudesta. TSMC lupaa sen 5 nanometrin prosessin parantavan tiheyttä 45 prosentilla ja suorituskykyä 15 prosentilla tai vähentää energiankulutusta 20 prosentilla.