Panu Roivas
9. elokuuta, 2015 20:54
Muistipiirien seuraava kehitysaskel on ylöspäin, eli 3D-piirien kehitys latomalla päälekkäin muistipiirejä, ja yhdistämällä ne TSV-tekniikalla. Toshiba on ottanut ensimmäisenä askeleen peräti 16-kerroksisten NAND-muistipiirien osalta, ja esittelee niitä Flash Memory Summit -tapahtumassa ensi viikolla.
Toshiba saavuttaa uudella TSV-tekniikalla yli 1 Gbps nopeudet muistipiirillä, ja samalla tehonkulutusta saadaan tiputettua 50%. Prototyyppivaiheessa oleva piiri mahduttaa sisälleen 256 gigatavua muistia 16-kerroksisessa muodossaan. Kooltaan muistipiiri on 14 x 18 x 1,9 mm. Tarkempia tietoja ei vielä julkistettu, mutta prototyyppipiiristä lienee vielä kohtuullisen pitkä matka kuluttajatuotteisiin.