Manu Pitkänen
27. elokuuta, 2014 14:46
Samsung on kertonut aloittaneensa 3D TSV -tekniikalla valmistettujen DDR4-muistien massatuotannon. Yrityspalvelimiin tarkoitetuissa keskusmuisteissa muistisirut on pinottu päällekkäin ja niiden välille on tehty pystysuuntaisia johtimia, minkä ansiosta uudet muistit ovat nopeampia ja vähävirtaisempia kuin perinteiseen paketointitekniikkaan perustuvat muistit.
Samsungin mukaan se on onnistunut pinoamaan 64 gigatavun DDR4-muisteissaan neljä muistisirua päällekkäin, mutta yhtiö luottaa kykenevänsä pinoamaan tulevaisuudessa enemmänkin muistitasoja päällekkäin. Muistit on valmistettu 20 nanometriluokan tekniikalla.
Korealaisyhtiön on työskennellyt TSV-paketoitujen DRAM-muistien kanssa vuodesta 2010 lähtien. Uusien keskusmuistien ja aiemmin esiteltyjen 3D V-NAND -tallennusmuistien ansiosta Samsung kehuu olevansa "3D-muistikehityksen" johtaja.