Manu Pitkänen
27. heinäkuuta, 2014 14:37
Rice Universityn tutkijat ovat kehittäneet uuden menetelmän, jonka avulla uuden sukupolven RRAM-muisteja (Resistive Random Access Memory) voidaan valmistaa aiempaa edullisemmin ja yksinkertaisemmin. RRAM-muistien on tarkoitus korvata nykyisin käytössä oleva flash-muistitekniikka.
RRAM:n etu flashiin verrattuna on selvästi korkeampi tallennustiheys, minkä ansiosta esimerkiksi puhelimissa voidaan nähdä jonakin päivänä teratavun edestä tallennustilaa – se on enemmän kuin useimmisa nykypäivän kannettavissa tietokoneissa. RRAM on lisäksi moninkertaisesti nopeampi ja kestävämpi kuin flash. RRAMin avulla muistitasoja voidaan latoa päällekkäin useita, mikä on ollut hankalampaa flash-muistien kohdalla.
Rice Universityn löydön keskiössä on huokoisen piioksidin käyttö metallilevyjen välissä dielektrisenä aineena. Sen ansiosta RRAM-muistin valmistusjännite voidaan laskea kolmastoistaosaan aiemmasta ja muisteja voidaan tuottaa huoneenlämmössä.
RRAM-muistien laajempaan käyttöönottoon menee vielä aikaa, mutta sitä yrittää kaupallistaa jo esimerkiksi Crossbar-niminen start up. Tutkimustyötä johtaneen James Tourin mukaan muistivalmistajiin ollaan oltu jo yhteydessä menetelmän lisensoimiseksi.