Manu Pitkänen
6. elokuuta, 2013 10:33
Laitteiden pienentyessä ja kuluttajien vaatimusten kasvaessa, tarvitaan uusia tallennusratkaisuita. Samsung on ottanut askeleen tähän suuntaan, sillä se on aloittanut markkinoiden ensimmäisten 3D V-NAND -muistien valmistuksen.
Tausta-ajatus 3D-muisteissa on se, että muistisoluja pinotaan päällekäin sen sijaan että niitä sijoitettaisiin pelkästään vierekkäin. Päällekäin pinoamisella saavutetaan 2–10 kertaa parempi toimintavarmuus ja kaksinkertainen kirjoitusnopeus perinteiseen tekniikkaan verrattuna. Perinteisessä tekniikassa NAND-muistien toimintavarmuus heikkenee sitä mukaa mitä pienempiin valmistustekniikoihin siirrytään. Samsungin tekniikalla voidaan pinota päällekäin 24 solukerrosta.
Samsung ei kertonut koska muisteja nähdään käyettävän kuluttajille asti saapuvissa laitteissa. Samsungin esittelemän piirin tallennustilaksi kerrottiin 16 gigatavua.