Panu Roivas
13. heinäkuuta, 2012 17:52
Toshiba on valottanut vastikään sen tulevaa tutkimusta ja tuotekehitystä. Toshiba on jo tällä hetkellä massatuotantovaiheessa 19 nm NAND flash -piirien osalta, mutta jatkossa tulossa on uusia kolmiulotteisia muistirakenteita, jotka tuovat selvästi lisää suorituskykyä.
Ensimmäisenä vuorossa on "BiCS" NAND-muisti, jonka hinta on nykyistä NAND flash -muistia pienempi kun piirillä on kerroksia yli 15. Ensimmäiset 128 ja 256 Gb prototyypit valmistuvat ensi vuonna, ja massatuotanto aloitetaan 2015.
Toshiba esitteli myös 64 Gb ReRAM-piiriä, ja myös sen aikataulu noudattelee samaa kaavaa. Vaikka prototyyppipiirin koko onkin pienempi kuin BiCSin, Toshiba uskoo piirien kapasiteettien olevan massatuotantovaiheessa samaa luokkaa. ReRAM-muistien etuna on niiden nopea kirjoitusnopeus, ja tätä muistityyppiä tullaan näkemään korkean suorituskyvyn tuotteissa.
ReRAMin lisäksi Toshiba kehittää myös STT-MRAM-muisteja, joita tullaan käyttämään välimuisteina esimerkiksi SSD-levyissä.