Manu Pitkänen
4. heinäkuuta, 2012 8:35
Samsung on esitellyt palvelimiin tarkoitettua 16 gigatavun DDR4-muistikampaa. Yhtiö esitteli jo pari vuotta sitten ensimmäistä DDR4-muistiaan, jonka koko oli kaksi gigatavua.
Molempien yllä mainittujen muistien piirit on valmistettu 30 nanometrin tekniikalla, mutta yhtiö aikoo aloittaa muistien massatuotannon 20 nanometrin tekniikalla ensi vuonna. Tämän ansiosta markkinoilla voidaan nähdä jopa 32 gigatavun DDR4-muistikampoja.
Uuden sukupolven muistityypin etuihin kuuluu aiempaa alhaisempi käyttöjännite. Tämän ansiosta muistit kuluttavat jopa 40 prosenttia vähemmän energiaa kuin edeltäjänsä. Samalla uusista muisteista siirtyy tietoa aiempaa rivakammin.
VR-Zonen tietojen mukaan Intelin Haswell-EP-suorittimista löytyisi DDR4-tuki.