Teemu Laitila
7. joulukuuta, 2011 14:48
Intel ja Micron ovat julkaisseet ensimmäiset tiedot yhtiöiden yhdessä omistaman NAND-sirujen valmistajan IMFT:n uudesta flash-muistista, jonka avulla yhdelle sirulle voidaan pakata 128 gigabitin eli 16 gigatavun verran dataa.
Uusi siru on valmistettu 20 nm valmistusprosessilla, joka on mahdollistanut kapasiteetin tuplaamisen nykyisestä 64 gigabitistä. Lisäksi sirut tukevat ONFi 3 -rajapintaa, joka kasvattaa siirtonopeuden ONFi 2.x -rajapinnan 200 MT/s (megatransfers / second) nopeudesta aina 333 MT/s nopeuteen. Rajapinnan nopeuden kasvatus vaikuttaa suoraan esimerkiksi peräkkäisiin luku- ja kirjoitusoperaatioihin, joissa muistiohjaimen ja muistin välinen rajapinta on tähän asti ollut pullonkaulana.
Uusilla muisteilla yksittäisen muistikomponentin enimmäiskoko saadaan nostettua jopa 128 gigatavuun, sillä 16 gigatavun muisteja voidaan kasata kahdeksan päällekkäin. Käytännnössä se tarkoittaa, että kunhan uudet muistit saadaan massatuotantoon, älypuhelinten ja muiden laitteiden tallennustilan määrä on helppo kasvattaa kaksinkertaiseksi nykyisestä 64 gigatavusta.
Flash-muistin tekniikasta johtuen muistisolujen pienentäminen tarkoittaa yleensä myös solujen uudelleenkirjoituskertojen vähenemistä. Intel ja Micron kuitenkin vakuuttavat, että 20 nm muistit kestävät 3000 - 5000 uudelleenkirjoituskertaa, joka on samalla tasolla 25 nm muistien kanssa. Kirjoituskestävyyttä parantaa tuotannossa käytetty HKMG-valmistusprosessi sekä aiempaa ohuempi hila muistisolun sisällä.
Ikävä uutinen on se, että uusien sirujen massatuotanto aloitetaan vasta vuoden 2012 puoliväissä ja 128 gigatavun muistilla varustettuja älypuhelimia tai uusiin muisteihin perustuvia ssd-asemia ei tulla näkemään ennen vuotta 2013.