Intelin etumatka siruvalmistuksessa kasvaa

Teemu Laitila
5. joulukuuta, 2011 10:54

Intelin testilaboratorioissa käytetään jo toimivia 14 nanometrin prosessilla valmistettuja siruja, kertoo Intelin Pohjois-Euroopan johtaja Pat Bliemer Nordic Hardware -sivustolle. Huolimatta yhä hankalammaksi muuttuvasta valmistusprosessista, Bliemerin mukaan Intelin suunnitelmat ovat aikataulussa ja 14 nm tekniikka saadaan käyttöön ajallaan.
Intelin nykyinen Sandy Bridge -arkkitehtuuriin perustuva suoritinsukupolvi on valmistettu 32 nanometrin prosessilla ja loppukeväästä odotettu Ivy Bridge siirtyy 22 nm prosessiin. Lisäksi Ivy Bridgeä seuraavat Haswell-suorittimet tullaan edelleen tuottamaan 22 nm viivanleveydellä.

Nordic Hardwaren haastatteleman Bliemerin mukaan Ivy Bridgen myötä Intel tulee olemaan kilpailijoitaan edellä jo puolitoista noodia eli valmistusprosessien kokoluokkaa.
Puolikkaalla noodilla Bliemer viittaa Ivy Bridgessä käytettyyn 3D-transistoritekniikkaan el tri-gate-transistoreihin. Tri-gate-tekniikalla saadaan vähennettyä transistoreiden jännitevuotoja ja sitä kautta parannettua energiatehokkuutta.


Perinteinen plaanaritransistori ja Tri-gate-transistori


Bliemerin mukaan Intelin johtoasema valmistuspuolella johtuu pitkälti piirien suunnittelijoiden ja valmistajien läheisestä yhteistyöstä. Intel on yksi harvoja valmistajia, joilla piirin koko valmistusprosessi suunnittelusta tehtaalle on toteutettu talon sisällä.

Intelin nykyisestä etumatkasta huolimatta myös muut valmistajat kehittelevät pienempiä valmistusprosesseja. AMD:n hovihankkija GloablFoundries ilmoitti kesällä, että yhtiö työstää omaa 3D-transistoritekniikkaansa ja myös 14 nm prosessin kehitys on hyvässä vauhdissa.

Lue myös nämä
Tägit
Intel
Käytämme evästeitä sivuillamme. Näin parannamme palveluamme.