Manu Pitkänen
18. heinäkuuta, 2011 16:50
Globalfoundries on ilmoittanut kehittävänsä paraikaa samankaltaista 3D-transistoritekniikkaa kuin Intelin Tri-Gate. Puolijohdevalmistaja valotti samalla lähitulevaisuuden tuotantosuunnitelmiaan.
Yhtiö ei liiemmin eritellyt transistoritekniikkansa yksityiskohtia. AMD:n hovivalmistaja totesi vain, että transistoreista löytyy 3D-toiminnallisuuksia. Vasta myöhemmin tiedetään koska Globalfoundries aikoo ottaa tekniikan käyttöön. Intel julkaisee ensimmäiset Tri-Gate-pohjaiset suorittimet ensi vuoden keväänä.
Yhtiö tavoitteena on päivittää linjastoja 28 nanometrin tuotantoa varten ja siirtyä vuonna 2013 uuteen 20 nanometrin prosessiin. Vuoden 2013 muutoksen yhteydessä prosessia muutetaan myös niin sanotuksi gate-last-tekniikaksi. Gate-lastissa transistoreiden metallihila lisätään korkealämpötila-aktivoinnin jälkeen, kun nykyisessä gate-first-tuotannossa metallihila lisätään ennen aktivointia. Gate-firstillä on nykyisessä tuotannossa selviä etuja, mutta tilanne muuttuu 20 nanometrin viivanleveyksillä.
Globalfoundries vahvisti myös, että yhtiön 14 nanometrin litografian kehitys on hyvässä mallissa.