Panu Roivas
16. heinäkuuta, 2011 14:15
Hynix Semiconductor ja Toshiba Corporation ovat maailman suurimpia NAND flash-muistin valmistajia. NAND on nykyään eniten käytetty muistityyppi muun muassa SSD-levyissä ja muistitikuissa. Hynix ja Toshiba ovat kuitenkin nyt sopineet kehittävänsä yhdessä STT-MRAM-muisteja, joista povataan korvaajaa NAND ja DRAM -muisteille.
MRAM on NAND-muistin tapaan non-volatile -tyyppistä muistia, eli se ei nykyisen DRAM-muistin tapaan kadota tietoja sähkövirran katketessa. MRAM-muisteja on kehitetty jo jonkin aikaa, mutta suurin kapasiteetti tällä hetkellä on 16 Mb, mikä on kaukana NAND-flashin nykyisestä 64 Gb kapasiteetistä. Sen odotetaan kuitenkin korvaavan DRAM-muistit, sillä sen skaalautuvuus on parempi ja pysyvyys selvä etu.
Toshiba odottaa gigabitin SST-MRAM-muistien valmistuksen olevan mahdollista kaupallisesti kolmen tai neljän vuoden sisään. Hynix ja Toshiba ovat lähteneet yhteistyöhön minimoidakseen riskiä ja kiihdyttääkseen MRAM-kehitystä.
"MRAM on varsinainen helmi täynnä jännittäviä ominaisuuksia, kuten ultranopeus, pieni tehonkulutus ja korkea kapasiteetti, ja se tulee olemaan avainasemassa muistien kehityksessä. Se tulee olemaan juuri sopiva kasvavaan kuluttajakysyntään tulevissa älypuhelimissa. MRAM on seuraava kasvualustamme", kertoo Chul Kwon, Hynixin toimitusjohtaja
MRAM-muistin lisäksi kehityksen alla on myös muita kilpailevia teknologioita, kuten IBM:n Phase Change Memory (PCM), Resistive RAM (ReRAM) ja Ferroelectric RAM (FeRAM). Toshiban ja Hynixin sitoutuminen MRAM-muisteihin vahvistanee sen asemaa, mutta uuden muistityypin markkinoille tulossa kestää joka tapauksessa vielä vuosia.