IBM kehitti flashia 100 kertaa nopeamman muistin

Manu Pitkänen
30. kesäkuuta, 2011 10:31

Viime aikoina kulutuselektroniikassa käytettävien flash-muistien suosio on kasvanut rajusti. Niiden suurin etu muihin tallennusratkaisuihin verrattuna on nopeus. Flash-muistipiirejä käytetään muun muassa SSD-asemissa.
IBM on kuitenkin kehittänyt jo flashille seuraajan, joka on sitä lähes sata kertaa nopeampi. IBM:n uusi faasimuutosmuisti (PCM, phase change memory) vaikuttaisi olevan myös muilta ominaisuuksiltaan ylivertainen muihin nykyisiin muistityyppeihin verrattuna. Siinä voidaan esimerkiksi tallentaa yhteen muistisoluun neljä bittiä dataa, kun flash-muisti kykenee vain yhteen bittiin. PCM-muisti kestää lisäksi yli 10 miljoonaa kirjoitus-tyhjennys-operaatiota, kun nykyisissä kuluttajille suunnatuissa SSD-asemissa kestävyyttä riittää ainoastaan 3000 operaatioon.

PCM-muistin toimintaperiaate perustuu siihen, että kalkogeenisen lasin tilaa voidaan säädellä sähkövirran aiheuttaman lämmön avulla kiteisen ja amorfisen välillä.
IBM:n kanssa samoilla apajilla on useita muitakin pelureita. Muiden muassa Samsung, Hynix, Micron ja Onyx ovat kertoneet kehittävänsä PCM-muistia. IBM ei aio ryhtyä muistivalmistajaksi, vaan haluaa lisensoida tekniikan muille yhtiöille.

Faasimuutosmuisteista on puhuttu jo ainakin 40 vuotta, joten mikään uusi asia se ei varsinaisesti ole. Nyt kuitenkin näyttää siltä, että se alkaisi olla tarpeeksi kypsä kaupalliseen käyttöön. Samsungilla on jo mobiilikäyttöön tarkoitettuja muisteja myynnissä, mutta palvelinmuisteiksi ne pääsenevät vasta vuoden 2016 tienoilla.

Lue myös nämä
Tägit
muisti IBM
Käytämme evästeitä sivuillamme. Näin parannamme palveluamme.