Teemu Laitila
14. huhtikuuta, 2011 21:30
Intel ja Micron ovat ilmoittaneet aikovansa tuoda markkinoille 20nm:n valmistustekniikalla tuotettuja MLC NAND Flash -siruja vuoden toisen puoliskon aikana. Muutostahti on nopeaa, sillä ensimmäiset 25nm:n viivanleveydellä valmistettua muistia hyödyntävät SSD-asemat ovat vasta saapuneet markkinoille.
Pienemmän valmistusprosessin avulla 8 GB NAND Flash -laite on kutistettu 118 neliömillimetriin verrattuna 167 nelimillimetriin, johon päästään nykyisillä 25nm:n tekniikalla valmistetuilla yksiköillä. Pienemmästä pinta-alasta on hyötyä erityisesti mobiililaitteissa, jossa valmistajat voivat käyttää säästyneen tilan muihin tarkoituksiin.
Viivanleveyden kutistuessa Flash-muistin uudelleenkirjoituskerrat vähenevät fyysisistä rajoituksista johtuen. 50nm:n viivanleveydellä valmistettu muisti kesti vielä 10 000 kirjoitus/tyhjennys-kierrosta, mutta nykyiset muistit kestävät enää kolmesta viiteen tuhanteen uudelleenkirjoitusta. Anandtechin Micronilta saamien kommenttien mukaan yhtiö pyrkii säilyttämään uudelleenkirjoitusten keston nykyisellä tasolla prosessin kutistamisesta huolimatta.
Arvioiden mukaan pienempi valmistusprosessi saattaisi laskea SSD-asemien hintoja 20 - 30 prosentin verran nykyiseen verrattuna.