Manu Pitkänen
8. huhtikuuta, 2011 13:18
TSMC:n julkaisemien suunnitelmien mukaan siruvalmistaja aikoo siirtyä 20 nanometrin viivanleveykset mahdollistavaan tekniikkaan vuosina 2013 ja 2014. Samalla yhtiö aikoo siirtyä 450 millimetrin kiekkoihin.
Tuotantotekniikan ja -linjaston päivitykset koplataan yhteen, mikä onkin tuotannollisesti järkevämpi vaihtoehto kuin päivittää linjastoja porrastetusti jatkuvasti. TSMC:n ensimmäinen 20 nanometrin tekniikkaa käyttävä kokonainen tehdas valmistuu vuonna 2015 tai 2016.
TSMC, Intel ja Samsung ovat olleet kaikkein aktiivisimpia 450 millimetrin kiekkojen puolestapuhujia. Siirtyminen nykyisistä vuonna 2001 käyttöönotetuista 300 mm:n kiekoista isompiin tarkoittaa käytännössä tuotantokustannusten dramaattista putoamista, koska 450 mm:n kiekolle mahtuu 1,8-kertainen määrä siruja verrattuna 300 mm:n kiekkoon. Lisäksi työntekijöitä ei tarvita niin paljoa. TSMC on laskenut, että linjaston päivityksen vuoksi sen palveluksesta poistuu kymmenen vuoden sisällä yli 7000 insinööriä, koska tuotantoa voidaan keskittää isoihin tehtaisiin.
Siirtymää isompiin kiekkoihin puoltaa ainoastaan kolme alan jättiläistä, koska pienemmille puolijohdealan yhtiöille tuotantolinjastojen päivitys tulee kalliimmaksi kuin kustannusten laskusta koituva hyöty. Linjaston päivittäiminen maksaa noin 10 miljardia dollaria.
Ensimmäisenä 450 mm:n kiekkoihin ja 20 nanometrin valotukseen siirtyy Hsinchun kaupungissa sijaitseva Fab 12 -tehdas. Taichungiin rakennettava ensimmäinen 450 mm:n tehdas valmistuu vuosikymmenen puolivälissä ja se voidaan tarvittaessa päivittää 14 nanometrin tekniikkaan.
Inteliin verrattuna TSMC siirtyy varhaisessa vaiheessa isompiin kiekkoihin. Intelin ilmoittamien tehdashankkeiden perusteella vuonna 2013 valmistuvat D1X- ja Fab 42-tehtaat tulevat aluksi käyttämään 300 mm:n kiekkoja, mutta ne aiotaan päivittää isoille kiekoille sopiviksi myöhemmin. Tehtaissa tullaan käyttämään 14 ja 16 nanometrin valmistustekniikoita.