Manu Pitkänen
9. helmikuuta, 2011 14:02
DRAM-tuotantonsa lopettava ja SSD-asemien valmistukseen siirtynyt OCZ on saanut kuluttajilta vihaisen palauteryöpyn virheellisinä pidettyjen teknisten tietojen vuoksi.
OCZ on saanut kuluttajilta paljon valituksia, joiden mukaan yhtiö on myymien Vertex 2 E -asemien todellinen kapasiteetti on ilmoitettua pienempi. Esimerkiksi 120 gigatavun aseman tallennuskapasiteetti on 115 gigatavua. Kuluttajat ovat myös huomanneet, että kirjoitusnopeuskin on uusissa asemissa todellisuudessa paljon hitaampi kuin yhtiö on ilmoittanut. Asia koskee uusia alle 180 GB:n Vertex 2 E -asemia, joiden NAND-flash-piirit on valmistettu 25 nanometrin prosessilla.
Uudet 25 nm:n muistit kestävät yhteensä 3000 kirjoitus-tyhjennys-operaatiota, kun aiemmat 34 nm:n tekniikalla valmistetut muistit kestivät 5000 kirjoitus-tyhjennys-operaatiota. Valmistusprosessin pienentyessä muistisolujen kestävyys heikkenee. Jotta OCZ sai pidettyä uusien asemien eliniän samana kuin edellisessä sukupolvessa, niin yhtiö päätti varata gigatavuja SandForce-ohjaimen RAISE-muistiin.
OCZ on puolustautunut vihaisia kuluttajia vastaan sillä, että asemien kokonaiskapasiteetti on kuten ilmoitettu, vaikka tallennuskapasiteetti onkin pienempi.