Manu Pitkänen
27. tammikuuta, 2011 10:43
North Carolina State Universityn tutkijat ovat kehittäneet uudenlaisen DFG-FET-muistitekniikan (Dual-Floating Gate Field Effect Transistor), joka yhdistää haihtuvien ja haihtumattomien muistien ominaisuudet.
Tavallisissa tietokoneissa käytetän tällä hetkellä keskusmuistia (RAM), joka varastoi tietoa vain sen aikaa kun tietokone on päällä. Tieto "haihtuu" kun muistien läpi ei kulje virtaa. Uudemmissa tietokoneissa käytetään myös flash-muistitekniikkaan hyödyntäviä SSD-asemia, jotka varastoivat muistia pitkäkestoisesti eikä tieto "haihdu" vaikkei virta kierrä asemassa. RAM-muisti on kaksikosta kuitenkin nopeampi muistitekniikka.
Tutkijoiden kehittämän muistityypin ansiosta haihtuvien ja haihtumattomien muistien ominaisuudet voidaan yhdistää. Kauaskantoisessa visiossa tämä tarkoittaisi sitä, että tietokoneissa ei enää tarvittaisi erikseen keskus- ja tallennusmuistia. Isoille palvelinkeskuksille uudesta muistista on paljon hyötyä, koska se mahdollistaa tiettyjen palvelimien kytkemisen pois päältä ilman että tietoa hukkuu. Tämä taas näkyy positiivisesti keskuksen sähkölaskussa. Uusi muisti mahdollistaa myös laitteiden välittömän käynnistyksen.