Teemu Laitila
4. tammikuuta, 2011 11:50
Samsung on rakentanut omien sanojensa mukaan maailman ensimmäisen DDR4-muistikamman, kertoo VR-Zone.com. Kamman muistimoduulit on rakennettu 30 nm:n luokan prosessitekniikalla, eli tarkka luku on 30 - 39 nm:n välissä. Uusi muistikampa saavuttaa jopa 2,133 GT/s nopeuden vain 1,2 voltin jännitteellä verrattuna nykyisten muistien 1,6 GT/s vauhteihin, joihin vaaditaan 1,35 tai 1,5 voltin jännitettä.
Matalampi käyttöjännite lupaa jopa 40 prosentin virransäästöä verrattuna nykyisiin 1,5 voltin jännitteellä toimiviin DDR3-muisteihin. Uuden Pseudo Open Drain -tekniikan ansiosta DDR4-muisti vaatii DDR3-muistiin verrattuna puolet vähemmän virtaa luku- ja kirjoitusoperaatioihin. Virallisten määrittelyjen mukaan DDR4-muistin nopeudet vaihtelevat 1600 MHz:stä 3200 MHz:n, mutta nopeampiakin kampoja ilmestynee myyntiin.
Samsung ei ole kertonut tarkempia suunnitelmiaan DDR4-muistin valmistuksen aloittamisesta. Uuden muistityypin yleistyminen on paljolti kiinni piirivalmistajien siirtymisestä uuteen tekniikkaan ja tällä hetkellä DDR3-muistilla pärjätään vielä kohtuullisen hyvin.